FQP 9N50 MOSFET TO-220

Τεχνολογία: Si

Στυλ συναρμολόγησης: Μέσω της τρύπας

Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι

Τρανζίστορ πολικότητα: N-κανάλι

Vds - Τάση κατανομής αποχέτευσης-πηγής: 500 V

Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 9 A

Αντίσταση RDS - Αντίσταση αποχέτευσης: 800 mOhms

Vgs - Τάση πύλης-πηγής: 30 V

Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 150 ° C

Λειτουργία καναλιού: Βελτίωση

Διαμόρφωση: Ενιαίος

Χρόνος πτώσης: 64 ns

Προηγούμενη διαπερατότητα - Ελάχιστη: 6.5 S

Ύψος: 9,4 mm

Μήκος: 10,1 mm

Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 55 ° C

Pd - Διαρροή ισχύος: 135 W

Χρόνος ανόδου: 65 ns

Τύπος τρανζίστορ: 1 κανάλι N

Τύπος: MOSFET

Τυπικός χρ νος καθυστέρησης στροφής: 93 ns

Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 18 ns

Πλάτος: 4,7 mm

Βάρος μονάδας: 1.800 g