IRF I510GPBF N-CH MOSFET TRANSISTOR

Τεχνολογία: Si

Στυλ συναρμολόγησης: Μέσω της τρύπας

Πακέτο / θήκη: TO-220-3

Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι

Τρανζίστορ πολικότητα: N-κανάλι

Vds - τάση κατανομής αποχέτευσης-πηγής: 100 V

Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 4,5 A

Αντίσταση RDS - Αντίσταση αποχέτευσης: 540 mOhms

Vgs - Τάση πύλης-πηγής: 20 V

Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 175 C

Λειτουργία καναλιού: Βελτίωση

Διαμόρφωση: Ενιαίος

Χρόνος πτώσης: 9,4 ns

Ύψος: 9,8 mm

Μήκος: 10,63 mm

Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 55 ° C

Pd - Διαρροή ισχύος: 27 W

Χρόνος ανόδου: 16 ns

Τύπος τρανζίστορ: 1 κανάλι N

Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 15 ns

Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 6,9 ns

Πλάτος: 4,83 mm

Βάρος μονάδας: 6 g